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> 儲能電源使用的MOS管，8款場效應管詳細參數數據呈現！

儲能電源使用的MOS管，8款場效應管詳細參數數據呈現！

文章作者：飛虹電子瀏覽量：10402 類型：行業資訊日期：2022-03-17 16:54:18 分享：

儲能電源MOS管使用推薦合集，今天我們就來細談細談。在社會的飛速發展中，戶外出游無論在國外還是國內都有越來越多的自駕愛好者、戶外旅行團隊等加入，對便攜式儲能電源的需求自然激增，因此廠家一定要重視產品對MOS管的使用。

畢竟不同類型的儲能電源電路設計要使用的MOS管還是有所差異的，因此今天飛虹電子整理了這一份儲能電源可使用的國產MOS管合集，供廣大電子工程師參考。

目前國產MOS管中，可替換多款場效應管產品使用的具體型號為：FHP120N7F6A、FHP170N1F4A、FHP200N6F3A、FHP200N4F3A、FHP170N8F3A、FHP110N8F5B、FHP100N8F6A、FHP60N1F10A，以上8款產品都是可以應用于儲能電源中的。

究竟還需要怎么考慮？當然需要結合場效應管的型號參數數據，具體我們來細看一些以上8款產品的核心型號參數情況：

1、FHP120N7F6A場效應管：

最高漏極－源極直流電壓為70V，在TC=25℃下，其連續漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續漏極電流為80A。

最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態導通電阻（typ）：VGS=10V則為5.4mΩ；反向傳輸電容：24pF。

2、FHP170N1F4A場效應管：

具體產品參數，具有172A、100V的電流、電壓， RDS(on) = 3.6mΩ(typ) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100%EAS測試，100%Rg測試，100%DVDS熱阻測試，優秀的品質因子FOM(RDSON*Qg)，一致性高，高可靠性,高雪崩耐量。

FHP170N1F4A的封裝形式是TO-220。這款產品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：172A；BVdss（V）：100V。

3、FHP200N6F3A場效應管：

具體產品參數，具有200A、60V的電流、電壓， RDS(on) = 3.5mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點。

FHP200N6F3A的封裝形式是TO-220。這款產品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：60V。

4、FHP200N4F3A場效應管：

具有200A、40V的電流、電壓， RDS(on) = 3.1mΩ(max) ，最高柵源電壓@VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，儲能電源用mos管100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點。

FHP200N4F3A的封裝形式是TO-220。這款產品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：200A；BVdss（V）：40V。

5、FHP170N8F3A場效應管：

最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，其連續漏極電流為185A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續漏極電流為120A，在TC=100℃下，其連續漏極電流為117.2A。

最大脈沖漏極電流（IDM ）：480（A）；靜態導通電阻（typ）：VGS=10V則為2.95mΩ；反向傳輸電容：97pF。

6、FHP110N8F5B場效應管：

其產品參數：具有147A電流、85V電壓， RDS(on) = 5.5mΩ(max)，最高柵源電壓 @VGS =±20 V，100% EAS測試，100% Rg測試，100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，鋰電池用MOS管并擁有極低輸入電容的特點。

FHP110N8F5B的主要封裝形式是TO-220。這款產品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：147A；BVdss（V）：85V。

7、FHP100N8F6A場效應管：

100N8F6A場效應管的最高漏極－源極直流電壓為85V，在TC=25℃（Silicon Limited）下，儲能電源用mos管其連續漏極電流為120A，在TC=25℃（Package Limited）下，其連續漏極電流為80A，在TC=125℃下，其連續漏極電流為56A。

最大脈沖漏極電流（IDM ）：320（A）；靜態導通電阻（typ）：VGS=10V則為5.3mΩ；反向傳輸電容：18pF。

8、FHP60N1F10A場效應管：

FHP60N1F10A具有60A、100V， RDS(on) = 12mΩ(max) @VGS =±20 V，具備100% EAS測試，100% Rg測試，儲能電源用mos管100% DVDS測試，極低的FOM(RDSON*Qg)，極低的輸入電容的特點。

FHP60N1F10A的主要封裝形式是TO-220。這款產品參數：Vgs（±V）：20；VTH（V）：2-4；ID（A）：60A；BVdss（V）：100V。

以上8款產品便是國產MOS管在使用過程中的核心數據呈現，具體可有儲能電源開發工程師進一步選擇使用。畢竟不同的性能以及需求對應要選擇的MOS管還是會有差異的，詳細參數規格表可登陸“飛虹電子”網址。

飛虹電子是優質的MOS管研發團隊，過程中會有專業的產品工程師與廠家共同維護研發，讓企業產品能夠得到最優的保障。

除參數適合外，飛虹致力于半導體器件、集成電路、功率器件的研發、生產及銷售，給逆變器廠家提供可持續穩定供貨。至今已經有33年半導體行業經驗以及20年研發、制造經驗。除可提供免費試樣外，更可根據客戶需求進行量身定制MOS管產品。

直接百度輸入“飛虹電子”即可找到我們，免費試樣熱線：400-831-6077。

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